J.A .Cur ran 等利用離子微弧氧化處理生成的氧化鋁膜熱導(dǎo)率在2 W/(m · K)左右, 遠(yuǎn)高于一般導(dǎo)熱樹(shù)脂和高分子PCB 的熱擴(kuò)散率, 李華平等利用微弧氧化法生長(zhǎng)的氧化鋁(導(dǎo)熱率為2W/(m ·K))薄膜厚度為40 μm 和20 μm 時(shí), 熱阻分別為l1 .3 K/W 和9 .1 K/W , 因此, 將氧化鋁基板應(yīng)用于LED 散熱是可能的。但目前, 陽(yáng)極氧化制備的氧化鋁膜多用于耐磨、耐蝕等場(chǎng)合, 用于LED 散熱的報(bào)道相對(duì)較少。另一方面, 要準(zhǔn)確衡量陽(yáng)極氧化鋁基板的散熱性能, 必須對(duì)LED 結(jié)溫及熱阻進(jìn)行精確測(cè)量, 目前常用的方法是正向壓降法 。